MGA II 모듈

ME10, DC: 스트레인 게이지 센서에 연결용 고주파 계측 프로세스를 위한 DC 전압 앰프. 펀칭이나 프레스피트 과업 도중에 빠른 변동과 같은 경우, 10kHz의 최대 계측 주파수를 가지고 있고, 아주 짧은 세팅 타임과 ME10은 동적 계측 프로세스에 아주 적합합니다.

ME30, 600 Hz TF: 저주파 계측 프로세스 동안 스트레인 게이지 센서를 이용하기 위한 앰프. 좋은 영점 안전성이 동적이고 준정직인 계측 프로세스에서 이용하도록 해 줍니다. 예를 들어, 중량 계측과 선량 측정, 또는 산업용 테스크 리그에서 힘과 압력의 계측 등

ME50, 4.8 kHz TF: 변위 센서의 HBM 제품과 같이 인덕티브 하프 브릿지를 갖춘 센서용 앰프. ME50은 동적, 정적 계측 프로세스를 위해 사용될 수 있습니다. 예를 들어, 건설 계측 기술에서 장기간 모니터링.

ME50S6, 4.8 kHz TF: 스트레인 게이지 센서용 앰프. ME50 (인덕티브 하프 브릿지 용) 같이, ME50S6은 힘 vs 변위에 따른 응용에 적합합니다.

EM001: 이 옵션은, 파이널 스테이지 모듈이 설치된 연결 보드가 ± 20mA 또는 +4 to +20mA의 current output 사이에서와 전압 산출 ±10V (R > 500Ohm)에서 스위치 전환 가능합니다.

EM002: Output stage module for Euro cards (± 20mA, 4...20mA)

AP01: Sub-D 커넥터를 이용한 센서 연결용 표준 연결 보드.

AP03: 7-pin MS 커넥터를 이용한 센서 연결용 표준 연결 보드.

AP11: Lemo 소켓 커넥터를 이용한 센서 연결용 표준 연결 보드.

Housing: 응용에 따라, 6 채널을 위한 데스트탑 하우징과 12채널을 위한 수용량을 갖춘 rack frame 사이에서 선택할 수 있습니다.

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This project is a macro-project and contains CAE data for Eplan Electric P8.


Date: 03/2012
Version: 1.00
Size: 19 MB
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